+7 (812) 660-51-96
Время работы
Пн-Чт: 10:00 - 18:00
ПТ: 10:00 - 17:00
+7 (800) 707-90-82
Бесплатно по РФ
Заказать звонок Конфигуратор

Память Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB DDR3-1333 ECC Registered

В наличии Обновление цен от 12 октября 2026
Гарантия 1 год
Гарантия 1 год
Удобная доставка
Удобная доставка
Moneyback 30 дней
Moneyback 30 дней

Описание

Серверная память Samsung M393B5170FH0-CH9 представляет собой модуль DDR3 SDRAM ёмкостью 4GB с технологией ECC Registered для применения в корпоративных серверах и рабочих станциях. Модуль обеспечивает надёжную работу критически важных приложений благодаря коррекции ошибок и буферизации сигналов.

Модуль работает на частоте 1333 МГц (PC3-10600R) с организацией 2Rx4, что обеспечивает пропускную способность до 10.6 GB/s и латентность CL9. ECC технология автоматически обнаруживает и исправляет однобитные ошибки, а функция Registered снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти при использовании множественных модулей.

Память Samsung M393B5170FH0-CH9 идеально подходит для серверов HP ProLiant G6/G7, Dell PowerEdge R610/R710, IBM System x и других платформ, поддерживающих DDR3 ECC Registered. Модуль соответствует стандартам JEDEC и обеспечивает стабильную работу в многопроцессорных конфигурациях с высокими требованиями к надёжности данных.
Гарантия, мес 12
Состояние Б.У.
Основные характеристики
Модель M393B5170FH0-CH9
Объем модуля 4 Gb
Тип DDR3
Частота 1333 MHz
Rank 2Rx4
Буфер памяти ECC Buffered/Registered
Высота профиля Standart
Тип RDIMM

Samsung M393B5170FH0-CH9

4GB
Объём памяти
1333МГц
Частота
10.6GB/s
Пропускная способность
9CL
Латентность
ECC
Коррекция ошибок
ECC технология обнаруживает и исправляет однобитные ошибки, предотвращает повреждение данных
REG
Registered буферизация
Снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, поддерживает до 24 модулей на канал
2Rx4
Двухранговая организация
2Rx4 архитектура обеспечивает оптимальную производительность в серверных конфигурациях
1.5V
Энергоэффективность
Напряжение питания 1.5V снижает энергопотребление на 15% по сравнению с DDR2
Технические характеристики
Тип памяти DDR3 SDRAM
Объём 4GB
Частота 1333 МГц
Стандарт PC3-10600R
Организация 2Rx4
Латентность CL9
Напряжение 1.5V
Тип ECC Registered
Форм-фактор DIMM 240-pin
Поддерживаемые протоколы
→DDR3-1333→PC3-10600R→ECC коррекция ошибок→Registered буферизация→JEDEC стандарт
Совместимость
HP ProLiantDell PowerEdgeIBM System xWindows ServerLinuxVMware ESXi
* Все сведения, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой.